Matsushita Electric Industrial Co最近开发了首款应用了许多新技术的的新型Smart SD内存卡。

　　这种新的Smart SD卡结合了先进的版权保护技术，可移动性，和方便的连接性能。这种卡能高速收/发大容量的数据且有着极高的安全性，从而将会有着广泛的市场前景。这种新产品使用了一种不挥发的FeRAM (Ferroelectric RAM)，这种内存支持高速读写――比传统的使用EepROM的智能卡快5倍。在Smart SD卡中的大容量闪存可以用作额外的存储区域且存储在这里的数据有着密码技术保护。这种相当安全的扩展内存的传输率大概是每秒600Kbyte(字节)。

　　这家公司将把这种新型的Smart SD卡发展成一种赖着实现“随处可见的网络社会”的关键技术，且将努力在硬件设备与系统服务等方面创造新的商业楔机。

　　这种新型SD卡将于今年12月开始出模版，商业化批量生产预计在2005年秋季。