内存产业的下一步？ -天瑞科技，深圳电脑维修，深圳电脑维护

　　随着消费性与IA应用的出现，系统产品对于内存的要求日趋于苛刻--低耗电、低成本，因此有愈来愈多的新内存技术陆续推出，包含FeRAM（Ferroelectric RAM）、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）与OUM（Ovonics Unified Memory）等。

　　环境变化，延伸出新一代内存技术之商机

　　1981年Bill Gates认为64K就足够满足PC的内存需求。然而现今，PDA与MP3播放机对于内存的需求早就超过了64 MB，根据推估2004年移动电话平均使用闪存的容量将会突破100 MB以上，可见产品架构趋势的变化对于内存的影响，已经非当初所能想象的。

　　一般数码产品常需要不同的内存产品，其中DRAM、SRAM与Flash最为普遍。至于一个产品需要哪些特殊的内存，其容量的大小，要依据产品架构而异。以PC来说，Flash是用来储存BIOS，而SRAM与DRAM也因为x86架构缘故而需求颇大。至于以嵌入式软件为主的产品，则不需要太大的内存容量。不过，随着现今数字或IA产品渐渐走向信息化、多媒体化、通讯化、网络化与移动化的同时，对于内存的需求也产生了不同的变化。

　　以移动电话为例，GSM手机的内存以SRAM与Flash为主，不过，进入Smart Phone与第三代移动电话之后，DRAM成为不可或缺的内存。此时，所延伸性的问题是，如何发展具有综合能力且高速不挥发的内存将较能切合未来市场之所需。因此，FeRAM、MRAM与OUM就成为业界努力的方向。

三种技术优势与机会分析

　　为了满足内存多样化、小型化、高密度化、低价化等的需求，有愈来愈多的闪存厂商开发新一代内存的技术，其中最受关注的就是以日本厂商-Rohm、NEC、Toshiba、Fujitsu、Hitachi、Matsushita等为首的FeRAM ﹔IBM、Infineon、Motorola、Samsung、Toshiba、NEC、Sony等提出的MRAM﹔以及Intel、ST Microelectronics力推的OUM等三种。

　　MRAM是一种非挥发性的磁性随机存取内存，其储存信息的方式与硬盘类似是使用磁性方向为依据。此外，其拥有DRAM随机存取的特质， SRAM高速读取写入速度的优点，写入次数又可达到无限次数，更重要的是其耗电量不会太大。总的来说，MRAM由于含有闪存、DRAM、SRAM与EEPROM的综合能力，这也是为什么许多厂商投入的原因。但是，MRAM现在最大的挑战是如何使磁电阻材料兼容于标准CMOS设计技术。

　　摩托罗拉公司于今年6月利用0.6μm制程做出读写时间50 ns且1 Mbit的MRAM测试芯片，其预计在2004年能够量产，且制程将提高至0.18μm。Toshiba与NEC预计2005年投资超过100亿日币发展MRAM量产技术，最初将量产容量定在256 Mbits ，以取代DRAM之主流市场。IBM与Infineon亦预计于2004年时，将MRAM商品化。因此总结看来，MRAM若更能进一步达到低成本的目标，取代Flash与DRAM既有的市场，将轻而易举。

　　FeRAM是现今新一代内存之中最早量产的技术。其构造与DRAM相类似，不过，其强诱电体材料由于形成不易，因此，其在大容量与低价化的障碍都比DRAM高。Fujitsu是现今全球FeRAM的领先厂商，其将FeRAM应用在IC卡与智慧卡之上，并利用其写入电压只要+3V，以及和Logic电路混合制程较易的优势，使得EEPROM受到相当大的威胁。如果，未来FeRAM能采用更先进的制程技术，则在细胞面积上，将能突破过大的缺点。

　　FeRAM现今并不以取代DRAM与Flash市场为主要策略考量，而是积极稳住IC卡市场，以现有优势进攻较易取得之EEPROM市场。不过随着其它内存技术的不断进步，其下一步将是突显其高速写入、非挥发与低耗电特质的行动化市场。现今Fujitsu与NEC已经建立了如此的策略模式，往此方向前进。

　　OUM是利用Ge、Sb与Te等硫系三化合物为材质之薄膜来储存数据。由于其是透过晶体管控制电源使其产生相变方式来储存数据，因此，其在读写速度与次数上，都明显落后MRAM与FeRAM。但是OUM在内存细胞仅有MRAM与FeRAM的1/3，以及其易于Logic电路整合的优势，使得Intel颇为看好其在可携式产品发展的潜能。

　　OUM技术的论文在1970年由Intel创始者之一Gordon Moore提出，30年之后，Intel已经利用0.18-micron展示出4 Mbit的测试芯片，未来Intel将使用0.13-micron来制造OUM。因此，在Intel积极介入OUM的情势看来，其是不可忽视的新一代非挥发性内存技术。

观点

　　近年来，日商不断退出DRAM市场，或进行组织的重整。从Elpida之成立，以及最近Hitachi与Mitsubishi合并成立Renesas公司，甚至Mitsubishi将DRAM卖给Elpida，都可以看出生产规模的DRAM商业模式，已经成为生存的必要条件。

　　另外一方面，由于新时代的来临，新一代内存的崛起将代表着内存即将迈入下一个新时代战场的开启。下一代内存应该包含非挥发、高密度、高性能与易于其它类型内存整合的特征。为了达到如此的境界，国际大厂正在通过内存的开发、设计与强化应用技术开发前进，但是要大量取代现今DRAM、SRAM与Flash的情况却仍旧有很大的挑战。