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●一 HY 现代内存的详细资料
HY 现代内存芯片编号资料
GM 72 X X X XX X X X X X X  X
     1 2 3 4  5 6 7 8 9 10 11   现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示,
其各位编号的意义如下:   
1:PREFIX OF LGS(LGS产品的前缀)   MEMORY IC的前缀   
2:FAMILY(内存种类)   72:SDRAM   
3:PROCESS&POWER SUPPLY(工艺和电压)   V:CMOS(3.3V) 
4:DENSITY&REFRESH(内存密度和刷新)   
   16:16M,4K Ref
  17:16M,2K Ref
  28:128M,4K Ref
  55:256M,16K Ref
  56:256M,8K Ref
  57:256M,4K Ref
  64:64M,16K Ref
  65:64M,8K Ref 
  66:64M,4K Ref 
5:DATA WIDTH(数据带宽)   
   4:×4   8:×8   16:×16  32:×32 
6:BANK(芯片组成)   
   1:1 BANK   2:2 BANK   4:4 BANK   8:8 BANK   
7:I/O INTERFACE(I/O界面)   1:LVTTL   
8:REVISION NO.(修正版本)   
   BLANK:ORIGINAL   A:FIRST   B:SECOND   
   C:THIRD   D:FOURTH   E:FIFTH   F:SIXTH   
9:POWER(功率)   Blank:STANDARD   L:LOW-POWER   
10:PACKAGE(IC封装)   
   T:TSOP(NORMAL)   R:TSOP(REVERSE)   
   I:BLP   K:TSOL   S:STACK   
11:SPEED(速度)   
   6:150MHz   7:143MHz   74:135MHz   
  75:133MHz   8:125MHz   7K:(PC100,2-2-2)*
 7J:(PC100,3-2-2)**   10K:(PC66)***   
 10J:(PC66)****        12:83MHz   15:66MHz   Note(注释):
   *7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。   
    **7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
  ***10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
  ****10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。   

●二、识别LGS SDRAM内存芯片一例   
LGS SDRAM内存芯片上的编号如图2所示,现分别解释如下。   第一行:LGS代表南韩LG公司   第二行:GM是LGS的memory IC产品的前缀;
72 代表SDRAM产品;V代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS;
66 代表芯片的密度是64Mbit和4K刷新;
8  代表×8的结构;
4  代表4bank的芯片组成;
1  代表LTVVL的I/O界面;
C  代表是第三代的芯片设计;
空白代表标准的芯片功耗;
T  代表普通的TSOP的IC封装;
7J 代表在100MHz外频下可运行在10ns,CL值是3。   第三行:
9839代表芯片的生产封装日期是1998年第39个星期;
KOREA代表是南韩出品,以便同非南韩的LG工厂生产的芯片相区别。 注意:
-10K不是PC 100的产品!
-7K和-7J 不是PC 133的产品!
-8的性能比-7K和-7J都要好,且-7K比-7J的性能要好一点儿,
要是-7J的条子后有AG2/3/4/6的字样,那么AG2的最好,AG6的最差!通式:GM72V ab cd e 1 f g T hi。 
ab:容量(Mbit) 
cd:数据位宽(位) 
e:内存条包括的Bank数 
f:内核的版本号(越往后越新,可为空白) 
g:若是“L”就是低功耗,普通型则为空白 
hi:速度  

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